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NDD02N60Z-1	文件：318.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDD02N60Z-1G	文件：168.55 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,4.0	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDD02N60Z-1G	文件：148.07 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDD02N60Z-1G	文件：1.08208 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	NDD02N60Z-1GIC	ON/安森美	23+	TO251	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳廊盛科技有限公司	NDD02N60Z-1GIC	ON/安森美	2022	TO251	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
深圳市特莱科技有限公司	NDD02N60Z-1GMOS	ON/安森美	22+21+	TO-251	44475	16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品	询价
深圳市宝隆宏业科技有限公司	NDD02N60Z-1GMOS(场效应管)	ON/安森美	2122+	DPAK	98800	全新原装正品现货,假一赔十	询价
深圳市智创诚芯电子科技有限公司	NDD02N60Z-1GMOS(场效应管)	ON/安森美	TO-251	货真价实,假一罚十	25000		询价
深圳市东来宝电子科技有限公司	NDD02N60Z-1GMOS(场效应管)	ON/安森美	22+	TO-251	44475	郑重承诺只做原装进口现货	询价
深圳市云美电子科技有限公司	NDD02N60Z-1GMOS(场效应管)	ON/安森美	22+	TO-251	44475	本公司只做原装进口现货	询价
深圳市诺美思科技有限公司	NDD02N60Z-1GMOS(场效应管)	ON/安森美	22+/23+	TO-251	9800	原装进口公司现货假一赔百	询价
深圳市华鑫创达电子有限公司	NDD02N60Z-1GMOS(场效应管)	ON/安森美	22+	TO-251	10000	原装现货,假一赔十	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	NDD02N60ZG		23+	N/A	49000	正品授权货源可靠	询价

更多NDD02N60Z-1GIC供应商更新时间2024-5-21 11:00:00

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