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NDD02N60Z-1G_ONSEMI/安森美半导体_MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R海芯未来电子

图片仅供参考，请参阅产品规格书

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1+	面议

厂家型号：
NDD02N60Z-1G
产品分类：
IC芯片
生产厂商：
ON
库存数量：
39500
产品封装：
TO-251-3
生产批号：
24+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2025-7-31 15:01:00

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详细信息
规格书下载

原厂料号：NDD02N60Z-1G品牌：ON

芯片型号：
NDD02N60Z-1G
规格书：
下载
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
10 页
文件大小：
148.07 kb
资料说明：
N-Channel Power MOSFET

产品属性

类型
描述
型号：
NDD02N60Z-1G
功能描述：
MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商

企业：
海芯未来半导体电子（深圳）有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
冯小姐
手机：
18823440899
询价：
电话：
18823440899
地址：
深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路109号华康大院2栋2层203

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