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NDP6060	文件：360.67 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP6060	文件：295.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP6060L	文件：360.51 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheselogiclevelN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology. Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP6060L	文件：1.31345 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •Logic-LevelGateDrive •FastSwitching •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDP6060L	文件：513.57 Kbytes Page：13 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDP6060L	文件：295.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NJU6060	文件：70.01 Kbytes Page：12 Pages	FullColorLEDControllerDriverwithPWMControl	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJU6060V	文件：70.01 Kbytes Page：12 Pages	FullColorLEDControllerDriverwithPWMControl	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NTE6060	文件：18.68 Kbytes Page：2 Pages	IndustrialSiliconRectifier,70A Description: TheNTE6048thruNTE6073powerrectifiersarestudmountedDO5packages.Becausethesiliconjunctioniscarefullyfittedwithinaglass–to–metalhermeticallysealedcase,reliableoperationisassured,evenwithextremehumidityandunderothersevereenvironmentalconditions.Th	NTE NTE Electronics	NTE
OM6060SB	文件：29.43 Kbytes Page：2 Pages	POWERMOSFETSINAHERMETICISOLATEDPOWERBLOCKPACKAGE HighCurrent,HighVoltage100VThru1000V,UpTo190AmpN-Channel,Size7MOSFETs DESCRIPTION ThisseriesofhermeticallypackagedproductsfeaturethelatestadvancedMOSFET technologycombinedwithapackagedesignedspecificallyforhighefficiency,highcurrent applications.Th	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

详细参数

型号：
NDB6060L_Q
功能描述：
MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市仟禧电子有限公司	NDB6060LMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	22+	SOT-263	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
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深圳市金芯世纪电子有限公司	NDB606AEL	NATIONAL/TI	22+	SOT-263	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市晨豪科技有限公司	NDB606AEL	NATIONAL/TI	23+	TO-263	89630	当天发货全新原装现货	询价
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