NDB6030AL说明书PDF资料批发采购无锡固电-114ic电子网

首页 >NDB6030AL>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
NDB6030L	文件：357.86 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDB6030L	文件：344.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=52A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDB6030PL	文件：56.6 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDB6030PL	文件：967.26 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDP6030	文件：56.17 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP6030	文件：56.6 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP6030	文件：357.86 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP6030	文件：296.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=46A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP6030L	文件：357.86 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP6030L	文件：295.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=52A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP6030PL	文件：56.6 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NI6030E	文件：257.26 Kbytes Page：11 Pages	Full-FeaturedESeriesMultifunctionDAQ12or16-Bit,upto1.25MS/s,upto64AnalogInputs	NI National Instruments Inc.	NI
NIPCI-6030E	文件：257.26 Kbytes Page：11 Pages	Full-FeaturedESeriesMultifunctionDAQ12or16-Bit,upto1.25MS/s,upto64AnalogInputs	NI National Instruments Inc.	NI
NIPXI-6030E	文件：257.26 Kbytes Page：11 Pages	Full-FeaturedESeriesMultifunctionDAQ12or16-Bit,upto1.25MS/s,upto64AnalogInputs	NI National Instruments Inc.	NI
PBFR6030JP	文件：1.00359 Mbytes Page：2 Pages	VoltageRange16to28VCurrent60Ampere	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
PE6030	文件：232.6 Kbytes Page：2 Pages	ShortingDustCapforBNCFemale	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PH6030L	文件：164.39 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PL6030JP	文件：645.39 Kbytes Page：2 Pages	PolyimidePassivatedAutoRectifier	YENYOYenyo Technology Co., Ltd. 元耀科技元耀科技股份有限公司	YENYO
PMEG6030ELP	文件：259.05 Kbytes Page：14 Pages	60V,3AlowleakagecurrentSchottkybarrierrectifier	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG6030ELP-Q	文件：259.76 Kbytes Page：13 Pages	60V,3AlowleakagecurrentSchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •ExtremelylowleakagecurrentIR=340nA •Averageforwardcur	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

12 3 >>>

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿国际（香港）有限公司	NDB6030AL	NS/国半	2021+	TO-263	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市恒达亿科技有限公司	NDB6030AL	NS	23+	TO-263	4500	全新原装、诚信经营、公司现货销售	询价
深圳市一线半导体有限公司	NDB6030L				3000	公司存货	询价
深圳市弘为电子有限公司	NDB6030L	FAIRCHILD	16+	原封装	320	原装现货假一罚十	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	NDB6030L	FAIRCHIL	2017+	TO-263	6523	只做原装正品!现货或订货!	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	NDB6030L	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
上海鑫科润电子科技有限公司	NDB6030L	FAIRCHILD	1998	TO263	100	原装现货海量库存欢迎咨询	询价
深圳市正迈科技有限公司	NDB6030L	FSC/ON	23+	原包装原封□□	580	原装进口特价供应QQ1304306553更多详细咨询库存	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	NDB6030L	NS	24+	TO-263	90000	一级代理商进口原装现货、价格合理	询价
深圳市近平电子有限公司	NDB6030L	NS	6000	面议	19	TO263	询价

更多NDB6030AL供应商更新时间2024-9-26 11:00:00

相关规格书

相关库存