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NCV51199PDR2G	文件：80.21 Kbytes Page：7 Pages	DDR 2-Amp Source / Sink Termination Regulator 文件：80.21 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NCV51199PDR2G	文件：300 bytes Page：1 Pages	专业电源管理 (PMIC) 2ADDR MEMORY TERML	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV51199PDR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）特殊用途稳压器描述：IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NCV51199PDR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 特殊用途稳压器
系列：
Automotive, AEC-Q100
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
应用：
LDO（线性），DDR
电压 - 输入：
1.5V ~ 5.5V
输出数：
1
电压 - 输出：
0.75V ~ 2.5V
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SOIC-EP
描述：
IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC

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