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NCV1413BDR2	文件：75.66 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays The seven NPN Darlington connected transistors in these arrays are well suited for driving lamps, relays, or printer hammers in a variety of industrial and consumer applications. Their high breakdown voltage and internal suppression diodes insure freedom from problems associated with inductive loa 文件：75.66 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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详细参数

型号：
NCV1413BDR2
功能描述：
达林顿晶体管 High Voltage High
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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