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NCV1413BDR2中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NCV1413BDR2
厂商型号

NCV1413BDR2

功能描述

High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays

文件大小

75.66 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-29 22:58:00

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NCV1413BDR2规格书详情

The seven NPN Darlington connected transistors in these arrays are well suited for driving lamps, relays, or printer hammers in a variety of industrial and consumer applications. Their high breakdown voltage and internal suppression diodes insure freedom from problems associated with inductive loads. Peak inrush currents to 500 mA permit them to drive incandescent lamps.

The MC1413, B with a 2.7 k series input resistor is well suited for systems utilizing a 5.0 V TTL or CMOS Logic.

Features

• Pb−Free Packages are Available*

• NCV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Site

and Control Changes

产品属性

  • 型号:

    NCV1413BDR2

  • 功能描述:

    达林顿晶体管 High Voltage High

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶体管极性:

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流:

    0.5 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOIC-18

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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