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NCP51199PDR2G

DDR 2-Amp Source / Sink VTT Termination Regulator

文件:80.73 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP51199PDR2G

DDR 2-Amp Source / Sink Termination Regulator

文件:80.21 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP51199PDR2G

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:集成电路(IC) 特殊用途稳压器 描述:IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC

ONSEMI

安森美半导体

NCV51199PDR2G

DDR 2-Amp Source / Sink VTT Termination Regulator

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ONSEMI

安森美半导体

NCV51199PDR2G

DDR 2-Amp Source / Sink Termination Regulator

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ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NCP51199PDR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 特殊用途稳压器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 应用:

    LDO(线性),DDR

  • 电压 - 输入:

    1.5V ~ 5.5V

  • 输出数:

    1

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC-EP

  • 描述:

    IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON(安森美)
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更多NCP51199PDR2G供应商 更新时间2026-2-8 22:59:00