选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SOP-8 |
2669 |
23+ |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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ON Semiconductor8SOIC |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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ON/安森美SOIC-8 |
10000 |
22+ |
十年沉淀唯有原装 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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ON/ON Semiconductor/安森美/安NA |
14 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市安罗世纪电子有限公司6年
留言
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ON Semiconductor8-SOIC |
2500 |
2023+ |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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ONSOP8 |
70 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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ONSOP8 |
6528 |
1844+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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ON/安森美NA |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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ON/安森美SOP-8 |
880000 |
20+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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ON/安森美SOIC-8 |
10000 |
21+ |
100%进口原装正品现货,公司原装现货众多欢迎加微信咨 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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onsemi8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
4500 |
21+ |
正规渠道/品质保证/原装正品现货 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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onsemiNA |
9000 |
23/22+ |
代理渠道.实单必成 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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ON(安森美)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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ON/安森美8-SOIC |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON(安森美)NA/ |
8735 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SOP8 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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芯灿微(深圳)科技有限公司1年
留言
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ON/安森美SOIC-8 |
10000 |
21+ |
全新原装现货 |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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ON(安森美) |
6000 |
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深圳市深创辉科技有限公司16年
留言
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ON |
986 |
11+ |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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onsemi(安森美)SOIC8 |
6000 |
23+ |
NCP5304DR2G采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
NCP5304DR2G图片
NCP5304DR2G价格
NCP5304DR2G价格:¥2.7396品牌:ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的NCP5304DR2G多少钱,想知道NCP5304DR2G价格是多少?参考价:¥2.7396。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,NCP5304DR2G批发价格及采购报价,NCP5304DR2G销售排行榜及行情走势,NCP5304DR2G报价。
NCP5304DR2G中文资料Alldatasheet PDF
更多NCP5304DR2G功能描述:功率驱动器IC HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
NCP5304DR2G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
同步
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2.3V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
250mA,500mA
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
85ns,35ns
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC