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NCP5111DR2G集成电路（IC）的栅极驱动器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NCP5111DR2G |
| 参数属性 | NCP5111DR2G 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| 功能描述 | High Voltage, High and Low Side Driver |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 文件大小 |
124.39 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-14 21:04:00 |
| 人工找货 | NCP5111DR2G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NCP5111DR2G规格书详情
NCP5111DR2G属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由安森美半导体制造生产的NCP5111DR2G栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。
产品属性
更多- 产品编号：
NCP5111DR2G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
同步
- 栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.3V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
250mA，500mA
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
85ns，35ns
- 工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
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