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NCP5111DR2G

High Voltage, High and Low Side Driver

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NCP5111DR2G

High Voltage, High and Low Side Driver

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NCP5111DR2G

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    NCP5111DR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.3V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    250mA,500mA

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    85ns,35ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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更多NCP5111DR2G供应商 更新时间2025-5-16 19:01:00