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NCP511集成电路（IC）的栅极驱动器规格书PDF中文资料

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厂商型号	NCP511
参数属性	NCP511 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
功能描述	150 mA CMOS Low Iq Low?묭ropout Voltage Regulator IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
封装外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
文件大小	94.81 Kbytes
页面数量	11 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2026-1-27 15:19:00
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NCP511规格书详情

NCP511属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由安森美半导体制造生产的NCP511栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。

产品属性

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产品编号：
NCP5111DR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
250mA，500mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
85ns，35ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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