NCE6080K中文资料12-200V N-Channel Trench MOSFET数据手册NCEPower规格书
NCE6080K规格书详情
描述 Description
The NCE6080K usesadvanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) withlow gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
特性 Features
• VDS=60V,ID =80ARDS(ON) <8.5mΩ@ VGS=10V
• High density cell design for ultra low Rdson
• Fullycharacterized avalanche voltage and current
• Good stability and uniformity with high EAS
• Excellentpackage for good heat dissipation
应用 Application
• PWM
• Load Switching
技术参数
- 制造商编号
：NCE6080K
- 生产厂家
：NCEPower
- Product status
：Production
- Package
：TO-252
- Polarity
：P
- BVDSS(V)
：60
- ID(A)
：80
- VTH(V)
：2.8
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ)
：6
- RDS(ON)@10VMax(mΩ)
：6.7
- VGS(th)(V)
：±20
- CISS(pF)
：4000
- QG(nC)
：90.3
- PD(W)
：110
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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