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NCE6045G中文资料12-200V N-Channel Trench MOSFET数据手册NCEPower规格书

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厂商型号

NCE6045G

功能描述

12-200V N-Channel Trench MOSFET

制造商

NCEPower Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

中文名称

新洁能 无锡新洁能股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 15:59:00

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NCE6045G规格书详情

描述 Description


The NCE6045G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

特性 Features

• VDS = 60V,ID =45A
RDS(ON) < 13mΩ @ VGS=10V (Typ:10mΩ)
RDS(ON) < 17mΩ @ VGS=4.5V (Typ:13mΩ)
• High density cell design for ultra low Rdson
• Fully characterized avalanche voltage and current
• Low gate to drain charge to reduce switching losses

应用 Application

• Power switching application
• Load switch

技术参数

  • 制造商编号

    :NCE6045G

  • 生产厂家

    :NCEPower

  • Product status

    :Production

  • Package

    :DFN5*6

  • Polarity

    :P

  • BVDSS(V)

    :60

  • ID(A)

    :45

  • VTH(V)

    :1.8

  • RDS(ON)@10VTyp(mΩ)

    :10

  • RDS(ON)@10VMax(mΩ)

    :13

  • RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)

    :13

  • RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)

    :18

  • VGS(th)(V)

    :±20

  • CISS(pF)

    :2180

  • QG(nC)

    :58

  • PD(W)

    :60

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