NCE603S中文资料Complementary MOSFET数据手册NCEPower规格书
NCE603S规格书详情
描述 Description
The NCE603S uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications.
技术参数
- 制造商编号
：NCE603S
- 生产厂家
：NCEPower
- Product status
：Production
- Package
：SOP-8
- Polarity
：N+P
- BVDSS(V)
：-60/60
- ID(A)
：-6/5
- VTH(V)
：-2.6/1.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ)
：64/26
- RDS(ON)@10VMax(mΩ)
：80/35
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
：/32
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
：/45
- VGS(th)(V)
：±20
- CISS(pF)
：1450/500
- QG(nC)
：26/25
- PD(W)
：2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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