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NAND08GW3B2A中文资料4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories数据手册ST规格书
技术参数
- 型号：
NAND08GW3B2A
- 功能描述：
闪存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V
- RoHS：
否
- 制造商：
ON Semiconductor
- 数据总线宽度：
1 bit
- 存储类型：
Flash
- 存储容量：
2 MB
- 结构：
256 K x 8
- 接口类型：
SPI
- 电源电压-最大：
3.6 V
- 电源电压-最小：
2.3 V
- 最大工作电流：
15 mA
- 工作温度：
- 40 C to + 85 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装：
Reel
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