512 Mbit, 1 Gbit, 2 Gbit, 4 Gbit, 8 Gbit 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

FEATURES SUMMARY ■ HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES – Up to 8 Gbit memory array – Up to 64Mbit spare area – Cost effective solutions for mass storage applications ■ NAND INTERFACE – x8 or x16 bus width – Multiplexed Address/ Data – Pinout compatibility for all densities ■ SUPPLY VOLTAG

文件：383.4 Kbytes 页数：59 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories

文件：1.70593 Mbytes 页数：69 Pages

NUMONYX

TSOP

ST

上传：深圳市振宏微科技有限公司

BGA

MICRON

美光

上传：深圳市拓亿芯电子有限公司

LQFP128

NUVOTON新唐

上传：深圳市常芯电子科技有限公司