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NAND04GW3B2BN6E	文件：501.64 Kbytes Page：58 Pages	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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详细参数

型号：
NAND04GW3B2BN6E
功能描述：
闪存 NAND 4 Gb
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
数据总线宽度：
1 bit
存储类型：
Flash
存储容量：
2 MB
结构：
256 K x 8
接口类型：
SPI
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.3 V
最大工作电流：
15 mA
工作温度：
- 40 C to + 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装：
Reel

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更多NAND04GW3B2BN6E供应商更新时间2024-4-26 17:25:00

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