NAND01GR3B2 集成电路（IC）存储器 ST/意法半导体

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1+	面议

厂家型号：
NAND01GR3B2
产品分类：
芯片
生产厂商：
ST/意法半导体
库存数量：
9000
产品封装：
进口原装
生产批号：
23+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2024-4-26 16:52:00

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详细信息
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原厂料号：NAND01GR3B2品牌：ST

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NAND01GR3B2是集成电路（IC） > 存储器。制造商ST/Micron Technology Inc.生产封装进口原装/63-TFBGA的NAND01GR3B2存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。

芯片型号：
NAND01GR3B2AN1
规格书：
下载下载2
企业简称：
STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情
厂商全称：
STMicroelectronics
中文名称：
意法半导体（ST）集团
内容页数：
64 页
文件大小：
631.49 kb
资料说明：
1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

产品参考属性

类型
描述
产品编号：
NAND01GR3B2CZA6E
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存 - NAND
存储容量：
1Gb（128M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
63-TFBGA
供应商器件封装：
63-VFBGA（9.5x12）
描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

供应商

企业：
深圳市博浩通科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
王先生/罗小姐
手机：
13798567707
询价：
电话：
0755-82818091
传真：
0755-82818458
地址：
国内业务:深圳市福田区华强北宝华大厦A座808,国际业务:深圳市福田区华强北路赛格广场3510A室(微信号:sz8910)

NAND01GR3B2 集成电路（IC）存储器 ST/意法半导体

NAND01GR3B2

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