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NAND01GW3B2BZA6E_STMICROELECTRONICS/意法半导体_闪存 1 Gbit 2Gbit 2112b 1/8 V/3 V NFM汇莱威一部

NAND01GW3B2BZA6E

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
NAND01GW3B2BZA6E
产品分类：
芯片
生产厂商：
ST
库存数量：
23000
产品封装：
BGA
生产批号：
24+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2025-7-25 17:06:00

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详细信息
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原厂料号：NAND01GW3B2BZA6E品牌：ST

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芯片型号：
NAND01GW3B2BZA6E
规格书：
下载
企业简称：
STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情
厂商全称：
STMicroelectronics
中文名称：
意法半导体集团
内容页数：
62 页
文件大小：
711.53 kb
资料说明：
1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

产品属性

类型
描述
型号：
NAND01GW3B2BZA6E
功能描述：
闪存 1 Gbit 2Gbit 2112b 1/8 V/3 V NFM
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
数据总线宽度：
1 bit
存储类型：
Flash
存储容量：
2 MB
结构：
256 K x 8
接口类型：
SPI
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.3 V
最大工作电流：
15 mA
工作温度：
- 40 C to + 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装：
Reel

供应商

企业：
深圳市汇莱威科技有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
朱小姐
手机：
18126328660
询价：
电话：
0755-82767689
地址：
深圳市福田区华富路1046号华康大夏2栋503

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