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N42	文件：1.3104 Mbytes Page：19 Pages	型号：AZ431BN-ATR；Package：SOT-23-3；Programmable Precise Output Voltage from 2.5V to 36V or 18V	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
N42	文件：198.58 Kbytes Page：10 Pages	型号：STFN42；Package：SOT-89；High voltage fast-switching NPN power transistor Description Thisdeviceisahighvoltagefast-switchingNPN powertransistor,manufacturedusinghighvoltage multi-epitaxialplanartechnologyforhigh switchingspeeds. Itemploysacellularemitterstructurewithplanar edgeterminationtoenhanceswitchingspeeds, whilemaintainingaw	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

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N42

文件：1.3104 Mbytes

Page：19 Pages

型号：AZ431BN-ATR；Package：SOT-23-3；Programmable Precise Output Voltage from 2.5V to 36V or 18V

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

N42

文件：198.58 Kbytes

Page：10 Pages

型号：STFN42；Package：SOT-89；High voltage fast-switching NPN power transistor

Description Thisdeviceisahighvoltagefast-switchingNPN powertransistor,manufacturedusinghighvoltage multi-epitaxialplanartechnologyforhigh switchingspeeds. Itemploysacellularemitterstructurewithplanar edgeterminationtoenhanceswitchingspeeds, whilemaintainingaw

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

详细参数

型号：
N42
功能描述：
TRANSISTOR PLANAR BIPO SOT-89
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列：
-
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
1A 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 电流 -
集电极截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 频率 -
转换：
100MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MMBT489LT1GOSDKR

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更多N42供应商更新时间2025-8-4 10:13:00

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