| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市赛恒电子科技有限公司3年
留言
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NECsot-84 |
6688 |
21+ |
十年老店,原装正品 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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NEC |
2789 |
22+ |
全新原装自家现货!价格优势! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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2000 |
本站现库存 |
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深圳市宇信通微波器件经营部7年
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NEC |
975 |
20+ |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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NEC |
988 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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NEC面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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Hittite |
8899 |
只做进口原装!假一罚十!绝对有货! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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NECSOT86 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市力通伟业半导体有限公司8年
留言
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NEC |
3015 |
13+ |
特价热销现货库存 |
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深圳市瑞祥辉半导体有限公司8年
留言
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NEC原厂原包 |
6850 |
2318+ |
十年专业专注 优势渠道商正品保证 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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NECSMD |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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NECcross |
1824 |
01+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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NECSMD |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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NECcross |
8890 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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SMDNA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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NECSMT86 |
34936 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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NECSO86 |
8175 |
04+ |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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NECSO86 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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NECTO-50 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NECSMT86 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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NE325S01图片
NE325S01-T1B中文资料Alldatasheet PDF
更多NE325S01功能描述:射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE325S01_02制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE325S01-T1制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE325S01-T1B功能描述:射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE325S01-T1B-A制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:Trans JFET N-CH 4V 90mA AlGaAs HJFET T/R 制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:Trans JFET N-CH 4V 90mA T/R
