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OPB760T	文件：330.71 Kbytes Page：4 Pages	PhotologicReflectiveObjectSensors Description TheOPB760NseriesofreflectiveassembliesfeaturePhotologic®output.ThiselectricaloutputcanbespecifiedaseitherTTLTotemPoleorTTLOpenCollector.Eithermaybesuppliedwithinverterorbufferoutputpolarity.Allhavetheaddedstabilityofabuilt-inhysteresisampli	Optek OPTEK Technologies	Optek
OPB760T	文件：398.97 Kbytes Page：7 Pages	PhotologicReflectiveObjectSensor Description: TheOPB760N,OPB760T,OPB770NandOPB770TseriesofreflecƟveassembliesfeaturePhotologic®output.TheelectricaloutputcanbespecifiedaseitherTTLTotem-PoleorTTLOpen-Collector,eitherofwhichcanbesuppliedwithinverterorbufferoutputpolarity. OPB760NandOPB760Tse	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
OPB760T	文件：630.32 Kbytes Page：7 Pages	Photologic®ReflectiveObjectSensor Description: TheOPB760N,OPB760TandOPB770TseriesofreflectiveassembliesfeaturePhotologic®output.TheelectricaloutputcanbespecifiedaseitherTTLTotem-PoleorTTLOpen-Collector,eitherofwhichcanbesuppliedwithinverterorbufferoutputpolarity. Features: •Choiceofmountin	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
PDS760	文件：79.21 Kbytes Page：3 Pages	7ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PDS760	文件：99.46 Kbytes Page：5 Pages	7ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PDS760Q	文件：474.71 Kbytes Page：5 Pages	7ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PFS760HG	文件：4.94073 Mbytes Page：36 Pages	CombinedTwo-SwitchForwardandFlybackPowerSupplyControllerswithIntegratedHighVoltageMOSFETs	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
PMT760EN	文件：334.71 Kbytes Page：14 Pages	100VN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT223 (SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 1.2Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMZ760SN	文件：378.91 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusing TrenchMOStechnology. 1.2Features 1.3Applications nProfile55lowerthanSOT23nFootprint90smallerthanSOT23 nLowon-stateresistancenFastswitching nLeadlesspackagenS	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
QA760	文件：202.66 Kbytes Page：2 Pages	UltraLowLoss&PhaseStable Features: LowInsertionLoss HighPhaseStability HighPower LowPIM Applications: Phased-arrayRadar SatelliteCommunication *Avionics	QUALWAVEQualwave Inc. All rights reserved. 扩维微波成都扩维微波技术有限公司	QUALWAVE

详细参数

型号：
MZ760
制造商：
MICROSEMI
制造商全称：
Microsemi Corporation
功能描述：
3 WATT GLASS ZENER DIODES

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