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MZ0912B100Y	文件：98.88 Kbytes Page：12 Pages	NPN microwave power transistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialmicrowavepowertransistors. TheMX0912B100YhasaSOT439Ametalceramicflangepackageandimprovedoutputprematchingcells.Itisrecommendedfornewdesigns. TheMZ0912B100YhasaSOT443Ametalceramicflangepackagewiththebaseconnectedtothefl	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
MZ0912B50Y	文件：90.73 Kbytes Page：12 Pages	NPN microwave power transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialmicrowavepowertransistorinaSOT443Ametalceramicflangepackagewithbaseconnectedtoflange.Itismountedincommonbaseconfiguration,andspecifiedinclassC. FEATURES •Interdigitatedstructureprovideshighemitterefficiency •Diffusedemi	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
MZ0912B100Y,114	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SOT-443A 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆安谱隆半导体（合肥）有限公司	Ampleon
MZ0912B50Y,114	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SOT-443A 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆安谱隆半导体（合肥）有限公司	Ampleon
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详细参数

型号：
MZ0912
功能描述：
两极晶体管 - BJT BULKTR TNS-MICP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MZ0912供应商更新时间2024-6-3 10:33:00

详细参数

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