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MXC4003XC	文件：418.88 Kbytes Page：13 Pages	Monolithic and Wafer Level Packaged Three-Axis Accelerometer	MEMSICMEMSIC Semiconductor (Tianjin) Co., Ltd. 美新半导体美新半导体有限公司	MEMSIC
MXP4003	文件：172.46 Kbytes Page：1 Pages	InGaAs/InPPINPhotodiodeChips DESCRIPTION Microsemi’sInGaAs/InPPINPhotodiodechipsareidealforwidebandwidth1310nmand1550nmopticalnetworkingapplications. KEYFEATURES LowDarkCurrent Extremelylowcapacitance Widebandwidth Fastresponsetime PPLICATIONS/BENEFIT 1310nmFiberOpticAppli	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NCE4003	文件：686.47 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE4003usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeatures ●VDS=40V,ID=3A RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V(Typ) RDS(ON)=52mΩ@VGS=4.5V(Typ	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE4003A	文件：701.61 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE4003Ausesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeatures ●VDS=40V,ID=3A RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V(Typ) RDS(ON)=43mΩ@VGS=4.5V(Ty	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NTR4003N	文件：67.39 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalMOSFET30V,0.56A,SingleN?묬hannel,SOT??3 SmallSignalMOSFET 30V,0.56A,SingleN−Channel,SOT−23 Features •LowGateVoltageThreshold(VGS(TH))toFacilitateDriveCircuitDesign •LowGateChargeforFastSwitching •ESDProtectedGate •SOT−23PackageProvidesExcellentThermalPerformance •MinimumBreakdownVoltageRatin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTR4003N	文件：105.87 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalMOSFET30V,0.56A,SingleN?묬hannel,SOT??3 SmallSignalMOSFET 30V,0.56A,SingleN−Channel,SOT−23 Features •LowGateVoltageThreshold(VGS(TH))toFacilitateDriveCircuitDesign •LowGateChargeforFastSwitching •ESDProtectedGate •SOT−23PackageProvidesExcellentThermalPerformance •MinimumBreakdownVoltageRatin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTR4003N	文件：90.54 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVR4003N	文件：105.87 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalMOSFET30V,0.56A,SingleN?묬hannel,SOT??3 SmallSignalMOSFET 30V,0.56A,SingleN−Channel,SOT−23 Features •LowGateVoltageThreshold(VGS(TH))toFacilitateDriveCircuitDesign •LowGateChargeforFastSwitching •ESDProtectedGate •SOT−23PackageProvidesExcellentThermalPerformance •MinimumBreakdownVoltageRatin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVR4003NT	文件：484.86 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
OLPG4003	文件：98.06 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONPLASTICRECTIFIER	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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