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MV21003分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器)规格书PDF中文资料

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厂商型号

MV21003

参数属性

MV21003 封装/外壳为模具;包装为托盘;类别为分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器);产品描述:GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT

功能描述

GaAs Varactor Diodes Abrupt Junction

封装外壳

模具

文件大小

154.63 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

MICROSEMI

中文名称

美高森美

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-30 15:30:00

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MV21003规格书详情

描述 Description

Microsemi’s GaAs abrupt junction varactors are fabricated from epitaxial layers grown at Microsemi using Chemical Vapor Deposition. The layers are processed using proprietary techniques resulting in a high Q factor and very repeatable tuning curves. The diodes are available in a variety of microwave ceramic packages or chips for operation from UHF to millimeter wave frequencies.

特性 Features

● High Q Values for Higher Frequency Performance

● Constant Gamma Design

● Low Reverse Current

● Available as Chip or Packaged Diodes

● Available in Chip-on-Board Packaging

● Custom Designs Available

Applications

● VCOs

● Phase-Locked Oscillators

● High Q Tunable Filters

● Phase Shifters

● Pre-Selectors

产品属性

  • 产品编号:

    MV21003-150A

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)

  • 包装:

    托盘

  • 不同 Vr、F 时电容:

    0.5pF @ 4V,1MHz

  • 电容比条件:

    C0/C30

  • 二极管类型:

    单路

  • 不同 Vr、F 时 Q 值:

    7000 @ 4V,50MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    芯片

  • 描述:

    GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT

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