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MV209G分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器)规格书PDF中文资料

MV209G
厂商型号

MV209G

参数属性

MV209G 封装/外壳为TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC);包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器);产品描述:DIODE TUNING EPICAP 30V TO92-2

功能描述

Silicon Epicap Diodes
DIODE TUNING EPICAP 30V TO92-2

封装外壳

TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC)

文件大小

63.29 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-29 15:01:00

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MV209G规格书详情

MV209G属于分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器)。由安森美半导体公司制造生产的MV209G二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)可变电容二极管可按照电子可变电容器用途进行生产和分类,并且广泛用于调谐和频率合成应用。虽然大多数二极管的结电容都随着所施加的反向偏压增加而减小,并且能够用作可变电容二极管,但专门作为此类器件销售的产品在生产和分类时特别考虑了这种用途。

Silicon Epicap Diodes

Designed for general frequency control and tuning applications; providing solid−state reliability in replacement of mechanical tuning methods.

​​​​​​​

Features

• High Q with Guaranteed Minimum Values at VHF Frequencies

• Controlled and Uniform Tuning Ratio

• Available in Surface Mount Package

• Pb−Free Packages are Available

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MV209G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    32pF @ 3V,1MHz

  • 电容比条件:

    C3/C25

  • 二极管类型:

    单路

  • 不同 Vr、F 时 Q 值:

    200 @ 3V,50MHz

  • 工作温度:

    125°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC)

  • 供应商器件封装:

    TO-92

  • 描述:

    DIODE TUNING EPICAP 30V TO92-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON Semiconductor
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