MV21001分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器)规格书PDF中文资料

厂商型号 |
MV21001 |
参数属性 | MV21001 封装/外壳为模具;包装为托盘;类别为分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器);产品描述:GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT |
功能描述 | GaAs Varactor Diodes Abrupt Junction |
封装外壳 | 模具 |
文件大小 |
154.63 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Microsemi Corporation |
企业简称 |
MICROSEMI【美高森美】 |
中文名称 | 美高森美公司官网 |
原厂标识 | MICROSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 17:10:00 |
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MV21001规格书详情
描述 Description
Microsemi’s GaAs abrupt junction varactors are fabricated from epitaxial layers grown at Microsemi using Chemical Vapor Deposition. The layers are processed using proprietary techniques resulting in a high Q factor and very repeatable tuning curves. The diodes are available in a variety of microwave ceramic packages or chips for operation from UHF to millimeter wave frequencies.
特性 Features
● High Q Values for Higher Frequency Performance
● Constant Gamma Design
● Low Reverse Current
● Available as Chip or Packaged Diodes
● Available in Chip-on-Board Packaging
● Custom Designs Available
Applications
● VCOs
● Phase-Locked Oscillators
● High Q Tunable Filters
● Phase Shifters
● Pre-Selectors
产品属性
- 产品编号:
MV21001-150A/TR
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
- 包装:
托盘
- 不同 Vr、F 时电容:
0.3pF @ 4V,1MHz
- 电容比条件:
C0/C30
- 二极管类型:
单路
- 不同 Vr、F 时 Q 值:
8000 @ 4V,50MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
模具
- 供应商器件封装:
芯片
- 描述:
GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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