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MURTA20060	文件：469.22 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURTA20060	文件：771.35 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURTA20060	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：三塔类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER	GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor	GeneSiC Semiconductor
MURTA20060_18	文件：771.35 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURTA20060R	文件：469.22 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
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MURTA20060R	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：三塔类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER	GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor	GeneSiC Semiconductor
20060	文件：169.65 Kbytes Page：4 Pages	CapacitiveSensr Features ■M18×1threadedbarrel ■Plastic,PA12‐GF30 ■Fineadjustmentviapotentiometer ■DC2-wire,nom.8.2VDC ■Outputacc.toDINEN60947-5-6(NAMUR) ■Cableconnection ■ATEXcategoryII2G,ExZone1 ■ATEXcategoryII1D,ExZone20 ■SIL2(LowDemandMode)acc.toIEC 61508,PLc	TURCKTURCK TURCK 图尔克图尔克公司	TURCK
AL20060	文件：240.25 Kbytes Page：4 Pages	INDUSTRIALMICROWAVEGENERATORS2450MHZ	MKS MKS Instruments.	MKS
CSD20060	文件：168.04 Kbytes Page：4 Pages	ZERORECOVERYRECTIFIER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
CSD20060D	文件：168.04 Kbytes Page：4 Pages	ZERORECOVERYRECTIFIER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
CSD20060D	文件：444.35 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode Features •600-VoltSchottkyRectifer •ZeroReverseRecoveryCurrent •ZeroForwardRecoveryVoltage •High-FrequencyOperation •Temperature-IndependentSwitchingBehavior •ExtremelyFastSwitching •PositiveTemperatureCoeffcientonVF Benefts •ReplaceBipolarwithUnipolarRectifer	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
DSF20060SF	文件：47.78 Kbytes Page：6 Pages	FastRecoveryDiode FEATURES ■DoubleSideCooling ■HighSurgeCapability ■LowRecoveryCharge APPLICATIONS ■Inverters ■Choppers ■InverseParallelDiode ■FreewheelDiode	Dynex Dynex	Dynex
MBR20060	文件：126.83 Kbytes Page：3 Pages	200AmpRectifier20to100VoltsSchottkyBarrier Features ·Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton ·Guardringfortransientprotection ·Lowpowerlosshighefficiency ·Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MBR20060	文件：121.24 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE200A Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
MBR20060CT	文件：133.83 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE200A 200AmpRectifier20-100Volts Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
MBR20060CT	文件：446.88 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SCHOTTKYRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MBR20060CT	文件：414.36 Kbytes Page：3 Pages	200AmpRectifier20to100VoltsSchottkyBarrier Features ·Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton ·Guardringfortransientprotection ·Lowpowerlosshighefficiency ·Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MBR20060CT	文件：136.64 Kbytes Page：2 Pages	SiliconSchottkyDiode,200A Features •GuardRingProtection •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •Upto100VVRRM	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MBR20060CT	文件：123.24 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerMod	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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产品属性

产品编号：
MURTA20060
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
100A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
三塔
供应商器件封装：
三塔
描述：
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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