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MURTA600120

Silicon Super Fast Recovery Diode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURTA600120

Silicon Super Fast Recovery Diode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURTA600120

包装:散装 封装/外壳:三塔 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor

MURTA600120R

Silicon Super Fast Recovery Diode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURTA600120R

Silicon Super Fast Recovery Diode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURTA600120R

包装:散装 封装/外壳:三塔 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor

600120FA

0.60mmPITCHBOARDTOBOARDCONNECTOR

SUYIN-USASUYIN USA, INC.

SUYIN USA, INC.

CPT600120

SCHOTTKYPOWERMOD

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

CPT600120

SchottkyPowerMod

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

DACSB600120CT

SiCSCHOTTKYDIODETYPE2횞300A

DACO

DACO

MSRTA600120

HEAVYTHREETOWERMODULESSTANDARDRECTIFIER

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

MSRTA600120A

HEAVYTHREETOWERMODULESSTANDARDRECTIFIER

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

产品属性

  • 产品编号:

    MURTA600120

  • 制造商:

    GeneSiC Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    散装

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    300A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    三塔

  • 供应商器件封装:

    三塔

  • 描述:

    DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GeneSiC
1935+
N/A
55
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GENESIC
1809+
三塔
26
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GeneSiC
22+
NA
55
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GeneSiC Semiconductor
22+
Three Tower
9000
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GeneSiC Semiconductor
24+
三塔
9350
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更多MURTA600120供应商 更新时间2024-6-20 10:18:00