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MURTA20040R	文件：425.07 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURTA20040R	文件：793.2 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURTA20040R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：三塔；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
PNE20040CPE	文件：261.459 Kbytes Page：13 Pages	200V,2x2Adualcommoncathodehyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤2A(perdiode) •Switchingtime:trr≤25ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20040CPE-Q	文件：260.97 Kbytes Page：13 Pages	200V,2x2Adualcommoncathodehyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤2A(perdiode) •Switchingtime:trr≤25ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20040CPE-QZ	文件：260.97 Kbytes Page：13 Pages	200V,2x2Adualcommoncathodehyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤2A(perdiode) •Switchingtime:trr≤25ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20040CPEZ	文件：261.459 Kbytes Page：13 Pages	200V,2x2Adualcommoncathodehyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤2A(perdiode) •Switchingtime:trr≤25ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20040EP	文件：251.37 Kbytes Page：13 Pages	200V,4Ahyperfastswitchingrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤4A •Switchingtime:trr≤30ns •Planardiedesign •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechnology Applications •G	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20040EPE	文件：261.589 Kbytes Page：12 Pages	200V,4Ahyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤4A •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechnology •Plan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20040EPE-Q	文件：260.49 Kbytes Page：11 Pages	200V,4Ahyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤4A •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechnology •Plan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
MURTA20040R
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阳极
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
100A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
三塔
供应商器件封装：
三塔
描述：
DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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