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BD840CT	文件：147.01 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
BD840S	文件：123.48 Kbytes Page：3 Pages	DPAKSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT8Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD840T	文件：47.48 Kbytes Page：2 Pages	THROUGHHOLEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT8Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD840YS	文件：148.85 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
BD840YS	文件：88.86 Kbytes Page：2 Pages	DPAKSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT8Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD840YT	文件：46.55 Kbytes Page：2 Pages	THROUGHHOLEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT8Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BF840	文件：101.07 Kbytes Page：6 Pages	NPNmediumfrequencytransistor DESCRIPTION NPNmediumfrequencytransistorinaSOT23plasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.25mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •AMmixers •IFamplifiersinAM/FMreceivers.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF840	文件：27.5 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23-PowerTransistorandDarlingtons	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BF840	文件：36.32 Kbytes Page：1 Pages	NPNMediumFrequencyTransistor Features ●Lowcurrent(max.25mA). ●Lowvoltage(max.40V).	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BF840	文件：20.53 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconRFTransistors(SuitableforcommonemitterRF,IFamplifiersLowcollector-basecapacitanceduetocontactshielddiffusion) ●SuitableforcommonemitterRF,IFamplifiers ●Lowcollector-basecapacitanceduetocontactshielddiffusion ●Lowoutputconductance	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BF840	文件：41.52 Kbytes Page：8 Pages	NPNmediumfrequencytransistor DESCRIPTION NPNmediumfrequencytransistorinaSOT23plasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.25mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •AMmixers •IFamplifiersinAM/FMreceivers.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF840	文件：85.85 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARTRANSISTORS SILICONPLANARTRANSISTORS SOT-23FormedSMDPackage N–P–Ntransistors	CDIL CDIL	CDIL
BF840	文件：273.3 Kbytes Page：7 Pages	NPNmediumfrequencytransistor FEATURES •Lowcurrent(max.25mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •AMmixers •IFamplifiersinAM/FMreceivers. DESCRIPTION NPNmediumfrequencytransistorinaSOT23plasticpackage.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BFP840ESD	文件：1.41685 Mbytes Page：28 Pages	RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP840FESD	文件：1.48023 Mbytes Page：28 Pages	RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BLV840	文件：387.83 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd Estek Electronics Co. Ltd	ESTEK
BRB840	文件：711.7 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-263PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BRD840	文件：714.3 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BSD840N	文件：442.31 Kbytes Page：9 Pages	DualN-channel	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSD840N	文件：232.04 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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产品属性

产品编号：
MURHB840CT
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
4A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D²PAK
描述：
DIODE ARRAY GP 400V 4A D2PAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	MURHB840CT	ON	23+	TO-263	33500	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
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深圳市勤思达科技有限公司	MURHB840CT	ON	2015+	D2PAK3	12500	全新原装,现货库存长期供应	询价
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更多MURHB840CT供应商更新时间2024-4-29 10:54:00

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