MURS360T3说明书PDF资料库存现货Motorola-114ic电子网

首页 >MURS360T3>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
MURS360T3	文件：107.97 Kbytes Page：4 Pages	ULTRAFAST RECTIFIERS 3.0 AMPERES 200-600 VOLTS SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers ...employingstate–of–the–artepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforhighvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandprotectiondiodes,insurfacemountapplicationswherecompact	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MURS360T3	文件：77.36 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Ultrafast Power Rectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURS360T3G	文件：77.36 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Ultrafast Power Rectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURS360T3G	文件：75.28 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Ultrafast Power Rectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURS360T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：DO-214AB，SMC 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V 3A SMC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURS360T3H	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-214AB，SMC 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURPOSE	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR360T3	文件：75.68 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES20,30,40VOLTS ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,hi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MBRAF360T3G	文件：105.81 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRAF360T3G	文件：64.8 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS360T3	文件：51.38 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES20,30,40VOLTS ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,hi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS360T3G	文件：141.61 Kbytes Page：7 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES,60VOLTS SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES,60VOLTS ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,hi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS360T3G	文件：117.32 Kbytes Page：7 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS360T3G	文件：245.74 Kbytes Page：8 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NRTSAF360T3G	文件：59.64 Kbytes Page：5 Pages	Trench-basedSchottkyRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NRVBAF360T3G	文件：64.8 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NRVBS360T3G	文件：245.74 Kbytes Page：8 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NRVBS360T3G	文件：117.32 Kbytes Page：7 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NRVBS360T3G	文件：141.61 Kbytes Page：7 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES,60VOLTS SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES,60VOLTS ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,hi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NRVTSAF360T3G	文件：59.64 Kbytes Page：5 Pages	Trench-basedSchottkyRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MURS360T3
功能描述：
整流器 600V 3A Ultrafast
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
产品：
Standard Recovery Rectifiers
反向电压：
100 V
恢复时间：
1.2 us
正向连续电流：
2 A
最大浪涌电流：
35 A 反向电流
IR：
5 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-221AC
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市诚中源科技有限公司	MURS360T3	BOURNS	20+	SMD	10600	合理报价,正品原装,假一罚万	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	MURS360T3	ON(安森美)	23+	标准封装	8848	全新原装正品/价格优惠/质量保障	询价
深圳市星佑电子有限公司	MURS360T3	ASE	93+	QFP	1167	全新原装绝对自己公司现货	询价
深圳市品优时代科技有限公司	MURS360T3	ONSemi	2019	SMC	19700	INFINEON品牌专业原装优质	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	MURS360T3				5000	公司存货	询价
深圳市深创辉科技有限公司	MURS360T3	ON	11+		1182		询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	MURS360T3	ON	2016+		6528	只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品!	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	MURS360T3	ON	2017+	SMC	25899	深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增	询价
深圳市益百分电子有限公司	MURS360T3	ON	10+	SMC	5000	原装现货价格有优势量大可以发货	询价
深圳好佳好科技有限公司	MURS360T3	ON	1305+	SMC	12000	公司特价原装现货	询价

更多MURS360T3供应商更新时间2024-4-27 14:00:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263、8246-9723
Fax：+86-755-8246-9723-808
Email：114ic＠114ic.com
上传库存：stock＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号