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MBRA340T3	文件：54.13 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifierSMAPowerSurfaceMountPackage	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRA340T3	文件：6.3142 Mbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
MBRA340T3	文件：293.38 Kbytes Page：24 Pages	42V,2.5A,2MHzStep-DownSwitchingRegulatorwith2.7關AQuiescentCurrent	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
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MBRA340T3G	文件：204.03 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifierSMAPowerSurfaceMountPackage EmployingtheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpolaritydiod	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MBRS340T3	文件：51.38 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES20,30,40VOLTS ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,hi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS340T3	文件：75.68 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES20,30,40VOLTS ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,hi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
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MBRS340T3G	文件：106.86 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandpolari	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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