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NDP6030	文件：56.6 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP6030	文件：357.86 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP6030	文件：296.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=46A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP6030L	文件：357.86 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP6030L	文件：295.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=52A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP6030PL	文件：56.6 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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