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MURHS160D	文件：125.02 Kbytes Page：5 Pages	ULTRAFASTRECTIFIER1.0AMPERES600VOLTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURS160	文件：51.44 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSUPER-FASTRECTIFIER Features •GlassPassivatedDieConstruction •Super-FastRecoveryTimeForHighEfficiency •SurgeOverloadRatingto35APeak •IdeallySuitedforAutomatedAssembly •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Notes3&4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MURS160	文件：147.41 Kbytes Page：2 Pages	UltraPlasticRectifers Features ◆PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoriesFlammabilityClassification94V-0 ◆Ideallysuitedforuseinveryhighfrequencyswitchingpowersupplies,invertersandasafreewheelingdiode ◆Ultrafastrecoverytimeforhighefficiency ◆Forsurfacemountapplications ◆Glasspa	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
MURS160	文件：108.32 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSUPER-FASTRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MURS160	文件：181.78 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASinteredGlassPassivatedUltraFastRecoveryRectifier 1.0ASinteredGlassPassivatedUltraFastRecoveryRectifier Features •Sinteredglasspassivated(SGP)rectifierchip •Ultrafastreverserecoverytime •Lowforwardvoltage,highcurrentcapability •Lowleakagecurrent,highsurgecurrentcapability •Hightemperaturesolderingguarantee	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
MURS160	文件：102.28 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountUltrafastPlasticRectifier FEATURES •Glasspassivatedpalletchipjunction •Idealforautomatedplacement •Ultrafastreverserecoverytime •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Autom	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MURS160	文件：34.44 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTULTRAFASTRECTIFIERS FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop UltraFastRecoveryTime *Pb/RoHSFree	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
MURS160	文件：297.86 Kbytes Page：4 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERVOLTAGERANGE200to600VoltsCURRENT1.0Ampere	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MURS160	文件：134.66 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTEFFICIENTGLASSPASSIVATEDRECTIFIERVOLTAGE:50TO600VCURRENT:1.0A VOLTAGE:50TO600VCURRENT:1.0A FEATURE •UltrafastNanosecondRecoveryTimes •150°COperatingJunctionTemperature •LowForwardVoltage •LowLeakageCurrent •HighTemperatureGlassPassivatedJunction	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
MURS160	文件：367.51 Kbytes Page：2 Pages	1A160VFastrecoverydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE

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产品属性

产品编号：
MUR160GP-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
10pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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