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MUR160RLG	文件：68.83 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUR160RLG	文件：121.83 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUR160RLG	文件：441.75 Kbytes Page：6 Pages	Ultrafast25,50and75NanosecondRecoveryTimes	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MUR160RLG	文件：442.23 Kbytes Page：5 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS1.0A,50V??600V Features •Glasspassivatedchip •Superfastswitchingtimeforhightefficiency •Lowreverseleakagecurrent •Highsurgecapacity •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MUR160S	文件：99.85 Kbytes Page：3 Pages	ULTRAFASTEFFICIENTPLASTICSILICONRECTIFIERVoltage:50to1000VCurrent:1.0A ULTRAFASTEFFICIENTPLASTICSILICONRECTIFIER Voltage:50to1000VCurrent:1.0A FEATURE Lowpowerloss Highsurgecapability Glasspassivatedchipjunction Ultra-fastrecoverytimeforhighefficiency Hightemperaturesolderingguaranteed 250℃/10sec/0.375″leadlengtha	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
MUR160S	文件：124.23 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers FEATURES -Glasspassivatedchipjunction -Idealforautomatedplacement -Ultrafastrecoverytimeforhighefficiency -Lowforwardvoltage,lowpowerloss -Moisturesensitivitylevel:level1,perJ-STD-020 -ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUandinaccordancetoWEEE2002/96/EC -	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MUR160S	文件：261 Kbytes Page：4 Pages	1.0AMP.SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MUR160S	文件：209.42 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MUR160S	文件：435.04 Kbytes Page：7 Pages	1A,50V-600VUltraFastSurfaceMountRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MUR160-T	文件：85.69 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASUPER-FASTRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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产品属性

产品编号：
MUR160GP-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
10pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MUR160GP-TP供应商更新时间2025-7-25 10:20:00

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