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MUN5230T1	文件：230.84 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS BiasResistorTransistors NPNSiliconSurfaceMountTransistorwith MonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonol	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MUN5230T1	文件：230.84 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MUN5230T1	文件：89.91 Kbytes Page：10 Pages	Bias Resistor Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MUN5230T1G	文件：441.63 Kbytes Page：16 Pages	Bias Resistor Transistor DigitalTransistors(BRT)R1=10kΩ,R2=10kΩ NPNTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwithamonolith	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MUN5230T1G	文件：144.37 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhn DigitalTransistors(BRT)R1=1kΩ,R2=1kΩ NPNTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwithamonolithic	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MUN5230T1G	文件：105.42 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 1 k, R2 = 1 k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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MUN5230T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-70，SOT-323 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
LMUN5230T1	文件：133.36 Kbytes Page：10 Pages	BiasResistorTransistorNPNSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork BiasResistorTransistor NPNSiliconSurfaceMountTransistor withMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonoli	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
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LMUN5230T1G	文件：772.58 Kbytes Page：10 Pages	BiasResistorTransistorNPNSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork BiasResistorTransistor NPNSiliconSurfaceMountTransistor withMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonoli	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
LMUN5230T1G	文件：925.94 Kbytes Page：10 Pages	BiasResistorTransistorNPNSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork BiasResistorTransistor NPNSiliconSurfaceMountTransistor withMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonoli	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

详细参数

型号：
MUN5230T1
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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更多MUN5230T1供应商更新时间2024-4-16 13:30:00

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