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MTM20P08	文件：285.8 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTH20P08	文件：293.41 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NCE20P08J	文件：726.29 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE20P08Jusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltages.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitching applicationandawidevarietyofotherapplications. GeneralFeatures ●VDS=-20V,ID=-8A RDS(O	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER

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MTM20P08

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isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

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NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE20P08Jusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltages.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitching applicationandawidevarietyofotherapplications. GeneralFeatures ●VDS=-20V,ID=-8A RDS(O

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更多MTM20P08供应商更新时间2024-9-24 16:00:00

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