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MTH20P08	文件：293.41 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.15Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：293.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MTM20P08	文件：285.8 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.15Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：285.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NCE20P08J	文件：726.29 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE20P08J uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications. General Features ● VDS = -20V,ID = -8A RDS(O 文件：726.29 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
MTI0117	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	航天民芯上传：深圳广友电子有限公司	航天民芯
MTI0117AJ	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOIC-8(SOP8)	AEROSEMI/航天民芯上传：深圳广友电子有限公司	AEROSEMI/航天民芯

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MTH20P08供应商更新时间2025-11-30 16:01:00