MTD6N20E中文资料功率 MOSFET，200V，6A，700mΩ，单 N 沟道，DPAK数据手册ONSEMI规格书
MTD6N20E规格书详情
描述 Description
此高级功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。新型能效设计还提供了具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。此类器件专用于电源、转换器和 PWM 电机控制中的低电压、高速开关应用，尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬变电压提供附加安全裕度。
特性 Features
• Avalanche Energy Specified
• Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
• Pb-Free Packages are Available
技术参数
- 型号：
MTD6N20E
- 制造商：
Rochester Electronics LLC
- 功能描述：
- Bulk
- 制造商：
ON Semiconductor
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
NA |
13650 |
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ON |
25+23+ |
TO252 |
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ON/安森美 |
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ON |
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DIP |
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ON Semiconductor |
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