MTD6N15数据手册ONSEMI中文资料规格书
MTD6N15规格书详情
描述 Description
N 沟道增强模式硅门极 此功率 FET 适用于高速、低损耗电源开关应用，如开关稳压器、转换器、电磁和继电器驱动器。
特性 Features
• Silicon Gate for Fast Switching Speeds
• Low RDS(on)0.3 W Max
• RuggedSOA is Power Dissipation Limited
• Source-to-Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads
• Low Drive RequirementVGS(th) = 4.0 V Max
• Surface Mount Package on 16 mm Tape
技术参数
- 型号：
MTD6N15
- 功能描述：
MOSFET 150V 6A N-Channel
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
5750 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ON |
20+ |
TO-252 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ON |
2016+ |
TO252 |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ON |
24+/25+ |
9785 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
VBsemi |
21+ |
TO252 |
10025 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
1822+ |
TO-252 |
6852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-252 |
2128 |
正规渠道,只有原装! |
询价 |
