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MTD2955V-1G

Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK

文件:74.89 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MTD2955VG

Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK

文件:74.89 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MTD2955VG

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.00428 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

MTD2955VT4

Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK

文件:74.89 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MTD2955VT4G

Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK

文件:74.89 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MTD2955VT4G

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:988.23 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

MTD2955V

功率 MOSFET,60 V,12 A,P 沟道,DPAK

此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。此类器件针对电源、转换器和电源电机控制中的低压、高速开关应用而设计,尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路,可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。 • Avalanche Energy Specified\n• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature\n• Pb-Free Packages are Available;

ONSEMI

安森美半导体

MTD2955E

TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM

恩XP

恩XP

MTD2955V

TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.230 OHM

恩XP

恩XP

详细参数

  • 型号:

    MTD2955

  • 功能描述:

    MOSFET DISC BY MFG 2/02

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON(安森美)
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更多MTD2955供应商 更新时间2025-12-26 11:14:00