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MTB4N80E1

文件：160.34 Kbytes

Page：8 Pages

TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 800 VOLTS

TMOSE-FETHighEnergyPowerFETD2PAK-SLStraightLead N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesigned

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola

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