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MTB50P03HDLT4G	文件：96.15 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P?묬hannel D2PAK 文件：96.15 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTB50P03HDLT4G	文件：143.96 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel Power MOSFET 文件：143.96 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTB50P03HDLT4G	文件：967.48 Kbytes Page：8 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：967.48 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
MVB50P03HDLT4G	文件：143.96 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel Power MOSFET 文件：143.96 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
MTB50P03HDLT4G
功能描述：
MOSFET PFET D2PAK 30V 50A 25mOhm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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