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DRAM GENERALDESCRIPTION The8Megx8DRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydevicescontaining67,108,864bitsanddesignedtooperatefrom3Vto3.6V.TheMT4LC8M8C2andMT4LC8M8P4arefunctionallyorganizedas8,388,608locationscontainingeightbitseach. FEATURES •Single+3. | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | Micron |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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