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MT47H128M8CF-187E:H

包装:托盘 封装/外壳:60-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

MT47H128M8CF-187E:H TR

包装:卷带(TR) 封装/外壳:60-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

MT47H128M8CF-187EAT

DDR2SDRAM

DDR2SDRAM MT47H256M4–32Megx4x8banks MT47H128M8–16Megx8x8banks MT47H64M16–8Megx16x8banks Features •VDD=1.8V±0.1V,VDDQ=1.8V±0.1V •JEDEC-standard1.8VI/O(SSTL_18-compatible) •Differentialdatastrobe(DQS,DQS#)option •4n-bitprefetcharchitecture •Dup

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

MT47H128M8CF-187EIT

DDR2SDRAM

DDR2SDRAM MT47H256M4–32Megx4x8banks MT47H128M8–16Megx8x8banks MT47H64M16–8Megx16x8banks Features •VDD=1.8V±0.1V,VDDQ=1.8V±0.1V •JEDEC-standard1.8VI/O(SSTL_18-compatible) •Differentialdatastrobe(DQS,DQS#)option •4n-bitprefetcharchitecture •Dup

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

MT47H128M8CF-187EL

DDR2SDRAM

DDR2SDRAM MT47H256M4–32Megx4x8banks MT47H128M8–16Megx8x8banks MT47H64M16–8Megx16x8banks Features •VDD=1.8V±0.1V,VDDQ=1.8V±0.1V •JEDEC-standard1.8VI/O(SSTL_18-compatible) •Differentialdatastrobe(DQS,DQS#)option •4n-bitprefetcharchitecture •Dup

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    MT47H128M8CF-187E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR2

  • 存储容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    0°C ~ 85°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    60-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    60-FBGA(8x10)

  • 描述:

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MT47H128M8CF-187E:H供应商 更新时间2024-4-21 14:11:00