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SFS4435	文件：1.00378 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
Si4435BDY	文件：232.84 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •AdvancedHighCellDensityProcess •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitches •BatterySwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SI4435DDY	文件：1.16631 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SI4435DY	文件：82.64 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-30V,Rds(on)=0.020ohm VDSS=-30V RDS(on)=0.020Ω Description TheseP-channelHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei	IRF International Rectifier	IRF
SI4435DY	文件：93.27 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationsrequiringawiderangeofgavedrivevoltageratings(4.5V–25V). Features •–8.8A,–30VRDS(ON)=20mΩ@VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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