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MT3S111 分立半导体产品晶体管 - 双极(BJT)- 射频 SK/台湾时科
- 详细信息
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产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
MT3S111P(TE12L,F)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
6V
- 频率 - 跃迁:
8GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.25dB @ 1GHz
- 增益:
10.5dB
- 功率 - 最大值:
1W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 30mA,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-243AA
- 供应商器件封装:
PW-MINI
- 描述:
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
供应商
- 企业:
深圳市瑞卓芯科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
李小姐/孟先生(只做原装,可开13%增值税)
- 手机:
13713856319
- 询价:
- 电话:
0755-28892389
- 传真:
0755-28892389
- 地址:
深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场58楼5801室
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