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MT29F4G08ABADAH4集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
MT29F4G08ABADAH4 |
参数属性 | MT29F4G08ABADAH4 封装/外壳为63-VFBGA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA |
功能描述 | 4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features |
文件大小 |
1.30112 Mbytes |
页面数量 |
132 页 |
生产厂商 | Micron Technology Inc. |
企业简称 |
Micron【镁光】 |
中文名称 | 美国镁光科技有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-6 15:02:00 |
MT29F4G08ABADAH4规格书详情
MT29F4G08ABADAH4属于集成电路(IC) > 存储器。美国镁光科技有限公司制造生产的MT29F4G08ABADAH4存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号:
MT29F4G08ABADAH4
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
闪存 - NAND
- 存储容量:
4Gb(512M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
63-VFBGA
- 供应商器件封装:
63-VFBGA(9x11)
- 描述:
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MICRON/美光 |
22+ |
BGA |
37240 |
只做原装正品现货 |
询价 | ||
MICRON/美光 |
2023+ |
BGA |
3000 |
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BGA |
9000 |
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MICRON |
2022+ |
BGA |
20000 |
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MICRON |
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BGA |
3000 |
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Micron |
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MICRON |
22+ |
BGA63 |
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询价 | ||
MICRON |
40 |
询价 |